反向传输电容(Crss):65pF,导通电阻(RDS(on)):0.28Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):19nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):42W,耗散功率(Pd):42W,输入电容(Ciss):570pF,输出电容(Coss):360pF,连续漏极电流(Id):8.8A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 65pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.28Ω@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
类型 | P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 42W | |
耗散功率(Pd) | 42W | |
输入电容(Ciss) | 570pF | |
输出电容(Coss) | 360pF | |
连续漏极电流(Id) | 8.8A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |