反向传输电容(Crss):60pF@25V,导通电阻(RDS(on)):0.045Ω@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):13nC@4.5V,漏源电压(Vdss):60V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):31.25W,耗散功率(Pd):31.25W,输入电容(Ciss):670pF@25V,连续漏极电流(Id):9.1A,连续漏极电流(Id):21.4A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 60pF@25V | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.045Ω@4.5V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 13nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 31.25W | |
耗散功率(Pd) | 31.25W | |
输入电容(Ciss) | 670pF@25V | |
连续漏极电流(Id) | 9.1A | |
连续漏极电流(Id) | 21.4A | |
配置 | - | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |