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FQD2P40TM
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- FQD2P40TM
- 商品编号
- C903731
- 商品封装
- TO-252AA
- 商品毛重
- 0.00038千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):8.5pF,导通电阻(RDS(on)):6.5Ω@10V,0.78A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):13nC@320V,漏源电压(Vdss):400V,耗散功率(Pd):2.5W,耗散功率(Pd):38W,输入电容(Ciss):350pF@25V,连续漏极电流(Id):1.56A,阈值电压(Vgs(th)):3V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 8.5pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5Ω@10V,0.78A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@320V | |
| 漏源电压(Vdss) | 400V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 耗散功率(Pd) | 38W | |
| 输入电容(Ciss) | 350pF@25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.56A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
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