温馨提示：图片仅供参考，商品以实物为准
FCD9N60NTM
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- FCD9N60NTM
- 商品编号
- C463456
- 商品封装
- TO-252AA
- 商品毛重
- 0.000476千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):5.5pF@100V,导通电阻(RDS(on)):0.385Ω@10V,4.5A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):17.8nC@10V,漏源电压(Vdss):600V,耗散功率(Pd):92.6W,输入电容(Ciss):1000pF@100V,连续漏极电流(Id):-,阈值电压(Vgs(th)):5V
找到类似商品：0 种查看类似商品
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.5pF@100V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.385Ω@10V,4.5A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.8nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 耗散功率(Pd) | 92.6W | |
| 输入电容(Ciss) | 1000pF@100V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
数据手册PDF
放大查看预订参考价
12.93 / PCS库存总量
0 PCS相似推荐
电话
顶部
元器件购物车