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FDD5614P
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- FDD5614P
- 商品编号
- C3291045
- 商品封装
- TO-252AA
- 商品毛重
- 0.001千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
导通电阻(RDS(on)):100mΩ@4.5A,10V,工作温度:-55℃~+175℃@(Tj),数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):24nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):3.8W,耗散功率(Pd):42W,输入电容(Ciss):759pF@30V,连续漏极电流(Id):15A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@4.5A,10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.8W | |
| 耗散功率(Pd) | 42W | |
| 输入电容(Ciss) | 759pF@30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
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