导通电阻(RDS(on)):4.6Ω@0V,400mA,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):12.7nC@5V,漏源电压(Vdss):500V,耗散功率(Pd):60W,输入电容(Ciss):312pF@25V,连续漏极电流(Id):800mA,阈值电压(Vgs(th)):4.5V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 4.6Ω@0V,400mA | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 12.7nC@5V | |
漏源电压(Vdss) | 500V | |
耗散功率(Pd) | 60W | |
输入电容(Ciss) | 312pF@25V | |
连续漏极电流(Id) | 800mA | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |