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MTB028N10QNCQ8
扩展库- 品牌名称
- CYSTECH(全宇昕)
- 厂家型号
- MTB028N10QNCQ8
- 商品编号
- C373437
- 商品封装
- SOP-8
- 商品毛重
- 0.00012千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):81pF@50V,导通电阻(RDS(on)):36mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):28nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):3.1W,输入电容(Ciss):637pF@50V,连续漏极电流(Id):6.6A,阈值电压(Vgs(th)):2.7V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 81pF@50V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 输入电容(Ciss) | 637pF@50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.6A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V@250uA |
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