反向传输电容(Crss):35pF@15V,导通电阻(RDS(on)):60mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):12.5nC@4.5V,漏源电压(Vdss):40V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):1W,输入电容(Ciss):396pF@15V,输出电容(Coss):47pF,连续漏极电流(Id):5.8A,阈值电压(Vgs(th)):1.6V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF@15V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.5nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 输入电容(Ciss) | 396pF@15V | |
| 输出电容(Coss) | 47pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA |