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PDC2604Z
扩展库- 品牌名称
- Potens(博盛半导体)
- 厂家型号
- PDC2604Z
- 商品编号
- C388379
- 商品封装
- PDFN3333-8
- 商品毛重
- 0.000135千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):600pF,导通电阻(RDS(on)):3.5mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):100nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):66W,输入电容(Ciss):5500pF,输出电容(Coss):850pF,连续漏极电流(Id):80A,阈值电压(Vgs(th)):1V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 600pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 100nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 66W | |
| 输入电容(Ciss) | 5500pF | |
| 输出电容(Coss) | 850pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
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