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SI2374DS-T1-GE3
扩展库- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 厂家型号
- SI2374DS-T1-GE3
- 商品编号
- C443767
- 商品封装
- SOT-23-3
- 商品毛重
- 0.000037千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
导通电阻(RDS(on)):41mΩ@1.8V,2A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):20nC@10V,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):960mW,耗散功率(Pd):1.7W,输入电容(Ciss):735pF@10V,连续漏极电流(Id):4.5A,连续漏极电流(Id):5.9A,阈值电压(Vgs(th)):1V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 41mΩ@1.8V,2A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 耗散功率(Pd) | 960mW | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W | |
| 输入电容(Ciss) | 735pF@10V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.9A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
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