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FDS8935
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- FDS8935
- 商品编号
- C464167
- 商品封装
- SOP-8
- 商品毛重
- 0.00012千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):36pF@40V,导通电阻(RDS(on)):247mΩ@4.5V,1.9A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:2个P沟道,栅极电荷量(Qg):19nC@10V,漏源电压(Vdss):80V,耗散功率(Pd):3.1W,输入电容(Ciss):879pF@40V,连续漏极电流(Id):2.1A,阈值电压(Vgs(th)):1.8V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 36pF@40V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 247mΩ@4.5V,1.9A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 输入电容(Ciss) | 879pF@40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.1A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
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