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BMD65N360Z1
扩展库- 品牌名称
- Bestirpower(萃锦半导体)
- 厂家型号
- BMD65N360Z1
- 商品编号
- C47715872
- 商品封装
- DPAK
- 商品毛重
- 0.001千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):5.46pF@50V,导通电阻(RDS(on)):290mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):17.5nC,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):134W,输入电容(Ciss):571pF@50V,连续漏极电流(Id):11A,阈值电压(Vgs(th)):3.5V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.46pF@50V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 290mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.5nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 耗散功率(Pd) | 134W | |
| 输入电容(Ciss) | 571pF@50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@250uA |
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