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VBM1808
扩展库- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 厂家型号
- VBM1808
- 商品编号
- C481023
- 商品封装
- ITO-220AB-3
- 商品毛重
- 0.0028千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):376pF@40V,导通电阻(RDS(on)):7mΩ@10V,20A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):22nC@40V,漏源电压(Vdss):80V,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):3855pF@40V,连续漏极电流(Id):28.6A,阈值电压(Vgs(th)):3.5V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 376pF@40V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V,20A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@40V | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 3855pF@40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 28.6A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
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