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VBM1206
扩展库- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 厂家型号
- VBM1206
- 商品编号
- C481006
- 商品封装
- ITO-220AB-3
- 商品毛重
- 0.00272千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):600pF@20V,导通电阻(RDS(on)):0.004Ω@4.5V,30A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):125W,输入电容(Ciss):6000pF@20V,连续漏极电流(Id):100A,阈值电压(Vgs(th)):1.5V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 600pF@20V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.004Ω@4.5V,30A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 输入电容(Ciss) | 6000pF@20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
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