反向传输电容(Crss):195pF@30V,导通电阻(RDS(on)):9mΩ@4.5V,20A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):71nC@40V,漏源电压(Vdss):80V,耗散功率(Pd):120W,输入电容(Ciss):4420pF@30V,连续漏极电流(Id):80A,阈值电压(Vgs(th)):1.3V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 195pF@30V | |
导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@4.5V,20A | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 71nC@40V | |
漏源电压(Vdss) | 80V | |
耗散功率(Pd) | 120W | |
输入电容(Ciss) | 4420pF@30V | |
连续漏极电流(Id) | 80A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V |