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HSP8N50
扩展库- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 厂家型号
- HSP8N50
- 商品编号
- C508804
- 商品封装
- TO-220F-3
- 商品毛重
- 0.002737千克(kg)
- 包装方式
- 管装
商品参数
反向传输电容(Crss):10pF@25V,导通电阻(RDS(on)):850mΩ@10V,4A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):23nC@4.5V,漏源电压(Vdss):500V,耗散功率(Pd):142W,输入电容(Ciss):980pF@25V,连续漏极电流(Id):8A,阈值电压(Vgs(th)):2V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF@25V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 850mΩ@10V,4A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 耗散功率(Pd) | 142W | |
| 输入电容(Ciss) | 980pF@25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
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