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P沟道100V快速开关MOSFET
扩展库- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 厂家型号
- HSK7P10
- 商品编号
- C51025834
- 商品封装
- SOT-89
- 商品毛重
- 0.001千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):40pF,导通电阻(RDS(on)):120mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):25nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):1.7W,输入电容(Ciss):1220pF,输出电容(Coss):58pF,连续漏极电流(Id):7A,阈值电压(Vgs(th)):1.8V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W | |
| 输入电容(Ciss) | 1220pF | |
| 输出电容(Coss) | 58pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.455/个 |
| 50+ | ¥1.152/个 |
| 150+ | ¥1.0227/个 |
| 1000+ | ¥0.861/个 |
| 2000+ | ¥0.789/个 |
| 5000+ | ¥0.746/个 |
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