导通电阻(RDS(on)):45mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):1200mW,输入电容(Ciss):390pF,连续漏极电流(Id):4A,阈值电压(Vgs(th)):2V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 1200mW | |
| 输入电容(Ciss) | 390pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.19/个 |
| 200+ | ¥0.149/个 |
| 600+ | ¥0.127/个 |
| 3000+ | ¥0.109/个 |
| 9000+ | ¥0.097/个 |
| 21000+ | ¥0.0906/个 |
| 39000+ | ¥0.0895/个 |
| 81000+ | ¥0.0888/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.10028
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