反向传输电容(Crss):48pF,导通电阻(RDS(on)):4.5mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):70nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):215W,输入电容(Ciss):5064pF,输出电容(Coss):1100pF,连续漏极电流(Id):170A,阈值电压(Vgs(th)):1.6V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 48pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 215W | |
| 输入电容(Ciss) | 5064pF | |
| 输出电容(Coss) | 1100pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 170A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥3.85/个 |
| 10+ | ¥3.76/个 |
| 30+ | ¥3.71/个 |
| 100+ | ¥3.47/个 |
| 500+ | ¥3.47/个 |
| 1000+ | ¥3.47/个 |
整盘
单价
整盘单价¥3.4132
50 PCS/盘
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