反向传输电容(Crss):410pF@20V,导通电阻(RDS(on)):1.2mΩ@10V,30A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):142nC@10V,漏源电压(Vdss):40V,耗散功率(Pd):230W,输入电容(Ciss):8102pF,连续漏极电流(Id):290A,阈值电压(Vgs(th)):-
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 410pF@20V | |
导通电阻(RDS(on)) | 1.2mΩ@10V,30A | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 142nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 40V | |
耗散功率(Pd) | 230W | |
输入电容(Ciss) | 8102pF | |
连续漏极电流(Id) | 290A | |
阈值电压(Vgs(th)) | - |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥14.445/个 |
10+ | ¥12.411/个 |
50+ | ¥10.737/个 |
100+ | ¥9.432/个 |
500+ | ¥8.847/个 |
1000+ | ¥8.586/个 |
整盘
单价
整盘单价¥9.87804
50 PCS/盘
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