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CMN2N10M

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品牌名称: Cmos(广东场效应半导体)
厂家型号: CMN2N10M
商品编号: C5203893
商品封装: SOT-23-3L
商品毛重: 0.00003千克(kg)
包装方式: 编带
ECCN: -

商品参数

反向传输电容(Crss):65pF,导通电阻(RDS(on)):240mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):10nC,漏源电压(Vdss):100V,耗散功率(Pd):1.25W,输入电容(Ciss):425pF,连续漏极电流(Id):2A,阈值电压(Vgs(th)):3V

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属性	参数值	其他
商品目录	场效应管(MOSFET)
反向传输电容(Crss)	65pF
导通电阻(RDS(on))	240mΩ@10V
工作温度	-55℃~+150℃
数量	1个N沟道
栅极电荷量(Qg)	10nC
漏源电压(Vdss)	100V
耗散功率(Pd)	1.25W
输入电容(Ciss)	425pF
连续漏极电流(Id)	2A
阈值电压(Vgs(th))	3V