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ASDM65N18S/SOP8
扩展库- 品牌名称
- ASDsemi(安森德)
- 厂家型号
- ASDM65N18S/SOP8
- 商品编号
- C520566
- 商品封装
- SOP-8
- 商品毛重
- 0.000185千克(kg)
- 包装方式
- 编带
商品参数
反向传输电容(Crss):115pF@30V,导通电阻(RDS(on)):7.5mΩ@10V,12A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):75nC@10V,漏源电压(Vdss):65V,耗散功率(Pd):2.5W,输入电容(Ciss):3450pF@30V,连续漏极电流(Id):18A,阈值电压(Vgs(th)):1.2V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 115pF@30V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V,12A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 75nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 65V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 输入电容(Ciss) | 3450pF@30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
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