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N场 SOT-89 100V 4A
扩展库- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 厂家型号
- CME4N10M
- 商品编号
- C52976737
- 商品封装
- SOT-89
- 商品毛重
- 0.000097千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):15pF,导通电阻(RDS(on)):0.28Ω,工作温度:-55℃~+150℃,栅极电荷量(Qg):5nC,漏源电压(Vdss):100V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):2.5W,输入电容(Ciss):180pF,输出电容(Coss):30pF,连续漏极电流(Id):4A,阈值电压(Vgs(th)):2V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.28Ω | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 输入电容(Ciss) | 180pF | |
| 输出电容(Coss) | 30pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
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|---|---|
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| 1000+ | ¥0.263/个 |
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