反向传输电容(Crss):43pF,导通电阻(RDS(on)):0.24Ω@10V,28A,工作温度:-55℃~+150℃,栅极电荷量(Qg):73.3nC@250V,漏源电压(Vdss):500V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):85W,输入电容(Ciss):4454pF@25V,输出电容(Coss):367pF,连续漏极电流(Id):28A,阈值电压(Vgs(th)):2V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 43pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.24Ω@10V,28A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 73.3nC@250V | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 85W | |
| 输入电容(Ciss) | 4454pF@25V | |
| 输出电容(Coss) | 367pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 28A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥8.13/个 |
| 10+ | ¥6.49/个 |
| 30+ | ¥5.58/个 |
| 90+ | ¥4.56/个 |
| 510+ | ¥4.56/个 |
| 1200+ | ¥4.56/个 |
整盘
单价
整盘单价¥5.1336
30 PCS/盘
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