反向传输电容(Crss):40pF,导通电阻(RDS(on)):45mΩ@10V,导通电阻(RDS(on)):60mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):5.1nC@4.5V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):1.56W,输入电容(Ciss):560pF,输出电容(Coss):55pF,连续漏极电流(Id):4.2A,阈值电压(Vgs(th)):1.5V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@10V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.1nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.56W | |
| 输入电容(Ciss) | 560pF | |
| 输出电容(Coss) | 55pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.281/个 |
| 100+ | ¥0.226/个 |
| 300+ | ¥0.199/个 |
| 3000+ | ¥0.173/个 |
| 6000+ | ¥0.156/个 |
| 9000+ | ¥0.148/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.15916
3000 PCS/盘
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