反向传输电容(Crss):105pF,导通电阻(RDS(on)):8.5mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):15nC@10V,漏源电压(Vdss):22V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):12W,输入电容(Ciss):625pF,输出电容(Coss):162pF,连续漏极电流(Id):8A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):0.65V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 105pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 22V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 12W | |
| 输入电容(Ciss) | 625pF | |
| 输出电容(Coss) | 162pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 0.65V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.447/个 |
| 50+ | ¥0.356/个 |
| 150+ | ¥0.311/个 |
| 500+ | ¥0.277/个 |
| 3000+ | ¥0.249/个 |
| 6000+ | ¥0.236/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.249
3000 PCS/盘