反向传输电容(Crss):1000pF,导通电阻(RDS(on)):7mΩ@10V,工作温度:-,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):150nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):2W,输入电容(Ciss):8000pF,连续漏极电流(Id):14A,阈值电压(Vgs(th)):-
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 1000pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 150nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 输入电容(Ciss) | 8000pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥30.31/个 |
| 10+ | ¥29.62/个 |
| 30+ | ¥29.16/个 |
| 100+ | ¥28.69/个 |
| 102+ | ¥28.69/个 |
| 104+ | ¥28.69/个 |
整盘
单价
整盘单价¥26.3948
2500 PCS/盘
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