反向传输电容(Crss):2.8pF@25V,导通电阻(RDS(on)):15Ω@10V,400mA,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):6.9nC@10V,漏源电压(Vdss):600V,耗散功率(Pd):2W,输入电容(Ciss):94pF@25V,连续漏极电流(Id):0.25A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):4.5V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.8pF@25V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15Ω@10V,400mA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.9nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 输入电容(Ciss) | 94pF@25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 0.25A | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |