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HXY4805S
扩展库- 品牌名称
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- 厂家型号
- HXY4805S
- 商品编号
- C3033412
- 商品封装
- SOP-8
- 商品毛重
- 0.00013千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):156pF,导通电阻(RDS(on)):27mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:2个P沟道,栅极电荷量(Qg):22nC,漏源电压(Vdss):30V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):3.7W,输入电容(Ciss):1330pF,连续漏极电流(Id):11A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 156pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 3.7W | |
| 输入电容(Ciss) | 1330pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
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