反向传输电容(Crss):295pF,导通电阻(RDS(on)):20.5mΩ@4.5V,7A,工作温度:-,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):34nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):3.1W,输入电容(Ciss):2400pF,输出电容(Coss):370pF,连续漏极电流(Id):12A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 295pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20.5mΩ@4.5V,7A | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 输入电容(Ciss) | 2400pF | |
| 输出电容(Coss) | 370pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |