反向传输电容(Crss):70pF,导通电阻(RDS(on)):50mΩ@10V,6A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):14nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):2.5W,输入电容(Ciss):530pF,输出电容(Coss):135pF,连续漏极电流(Id):6A,阈值电压(Vgs(th)):3V@0.25mA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@10V,6A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 输入电容(Ciss) | 530pF | |
| 输出电容(Coss) | 135pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@0.25mA |