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HXY4612S
扩展库- 品牌名称
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- 厂家型号
- HXY4612S
- 商品编号
- C3033414
- 商品封装
- SOP-8
- 商品毛重
- 0.00013千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):50pF,导通电阻(RDS(on)):140mΩ@10V,导通电阻(RDS(on)):85mΩ@10V,3A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道+1个P沟道,栅极电荷量(Qg):19nC@4.5V,漏源电压(Vdss):60V,类型:N沟道+P沟道,耗散功率(Pd):2W,输入电容(Ciss):1137pF,输入电容(Ciss):1137pF@15V,输出电容(Coss):76pF,连续漏极电流(Id):5A,连续漏极电流(Id):7.7A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 140mΩ@10V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@10V,3A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 输入电容(Ciss) | 1137pF | |
| 输入电容(Ciss) | 1137pF@15V | |
| 输出电容(Coss) | 76pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.7A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.0504/个 |
| 50+ | ¥0.842/个 |
| 150+ | ¥0.753/个 |
| 500+ | ¥0.642/个 |
| 3000+ | ¥0.564/个 |
| 6000+ | ¥0.535/个 |
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