反向传输电容(Crss):85pF,导通电阻(RDS(on)):18mΩ@2.5V,工作温度:-40℃~+150℃,栅极电荷量(Qg):10nC,漏源电压(Vdss):20V,类型:N沟道+P沟道,耗散功率(Pd):1.25W,输入电容(Ciss):590pF,连续漏极电流(Id):10A,阈值电压(Vgs(th)):1.1V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@2.5V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 输入电容(Ciss) | 590pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V |