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SI4413DDY-T1-GE3
扩展库- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 厂家型号
- SI4413DDY-T1-GE3
- 商品编号
- C5753866
- 商品封装
- SOIC-8
- 商品毛重
- 0.000172千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
导通电阻(RDS(on)):5.5mΩ@10V,10A,工作温度:-55℃~+125℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):114nC@10V,输入电容(Ciss):4780pF@15V,阈值电压(Vgs(th)):1.6V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@10V,10A | |
| 工作温度 | -55℃~+125℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 114nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4780pF@15V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
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