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TMW20N65H
扩展库- 品牌名称
- 无锡紫光微
- 厂家型号
- TMW20N65H
- 商品编号
- C596288
- 商品封装
- TO-247
- 商品毛重
- 0.0082千克(kg)
- 包装方式
- 管装
商品参数
反向传输电容(Crss):24.8pF@25V,导通电阻(RDS(on)):350mΩ@10V,10A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):80nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):120W,输入电容(Ciss):2.701nF@25V,连续漏极电流(Id):20A,阈值电压(Vgs(th)):3V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 24.8pF@25V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 350mΩ@10V,10A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 耗散功率(Pd) | 120W | |
| 输入电容(Ciss) | 2.701nF@25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
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