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NVATS68301PZT4G
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- NVATS68301PZT4G
- 商品编号
- C604522
- 商品封装
- DPAK
- 商品毛重
- 0.000466千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):125pF,导通电阻(RDS(on)):57mΩ@10V,14A,工作温度:-55℃~+175℃@(Tj),数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):55nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,耗散功率(Pd):84W,输入电容(Ciss):2.85nF@20V,连续漏极电流(Id):31A,阈值电压(Vgs(th)):3.5V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 125pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 57mΩ@10V,14A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 55nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 耗散功率(Pd) | 84W | |
| 输入电容(Ciss) | 2.85nF@20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 31A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
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