反向传输电容(Crss):0.8pF@100V,导通电阻(RDS(on)):77mΩ@10V,27A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):164nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):481W,输入电容(Ciss):7109pF@100V,连续漏极电流(Id):54A,阈值电压(Vgs(th)):-
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.8pF@100V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 77mΩ@10V,27A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 164nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 耗散功率(Pd) | 481W | |
| 输入电容(Ciss) | 7109pF@100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 54A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |