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GP2T080A120U
扩展库- 品牌名称
- SemiQ
- 厂家型号
- GP2T080A120U
- 商品编号
- C6626988
- 商品封装
- TO-247-3
- 商品毛重
- 0.007562千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):4pF@1000V,导通电阻(RDS(on)):100mΩ@20V,20A,工作温度:-55℃~+175℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):58nC@20V,漏源电压(Vdss):1200V,耗散功率(Pd):188W,输入电容(Ciss):1377pF@1000V,连续漏极电流(Id):35A,阈值电压(Vgs(th)):2.8V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF@1000V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@20V,20A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 58nC@20V | |
| 漏源电压(Vdss) | 1200V | |
| 耗散功率(Pd) | 188W | |
| 输入电容(Ciss) | 1377pF@1000V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V |
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