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FDS6673BZ-G
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- FDS6673BZ-G
- 商品编号
- C6947377
- 商品封装
- SOIC-8
- 商品毛重
- 0.000215千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
导通电阻(RDS(on)):7.8mΩ@10V,14.5A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):65nC@5V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):1W,输入电容(Ciss):4700pF@15V,连续漏极电流(Id):14.5A,阈值电压(Vgs(th)):3V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.8mΩ@10V,14.5A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 65nC@5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 输入电容(Ciss) | 4700pF@15V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14.5A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
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