SI2356DS-T1-BE3实物图
温馨提示:图片仅供参考,商品以实物为准

SI2356DS-T1-BE3

扩展库
品牌名称
VISHAY(威世)
厂家型号
SI2356DS-T1-BE3
商品编号
C7010693
商品封装
SOT-23(TO-236)
商品毛重
0.000034千克(kg)
包装方式
编带
ECCN
EAR99

商品参数

反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):51mΩ@10V,3.2A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):13nC@10V,漏源电压(Vdss):40V,耗散功率(Pd):1.7W,耗散功率(Pd):960mW,输入电容(Ciss):370pF@20V,连续漏极电流(Id):4.3A,连续漏极电流(Id):3.2A,阈值电压(Vgs(th)):1.5V

找到类似商品:0查看类似商品
属性参数值其他
商品目录场效应管(MOSFET)
反向传输电容(Crss)-
导通电阻(RDS(on))51mΩ@10V,3.2A
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
数量1个N沟道
栅极电荷量(Qg)13nC@10V
漏源电压(Vdss)40V
耗散功率(Pd)1.7W
耗散功率(Pd)960mW
输入电容(Ciss)370pF@20V
连续漏极电流(Id)4.3A
连续漏极电流(Id)3.2A
阈值电压(Vgs(th))1.5V

数据手册PDF

放大查看

无法嵌入内容,点击此处查看

预订参考价

0.633 / PCS

库存总量

0 PCS
电话
顶部
元器件购物车