晶体管类型:PNP,特征频率(fT):200MHz,直流电流增益(hFE):160@100mA,1V,耗散功率(Pd):330mW,集射极击穿电压(Vceo):45V,集射极饱和电压(VCE(sat)):700mV@50mA,500mA,集电极截止电流(Icbo):20nA,集电极电流(Ic):800mA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 三极管(BJT) | |
晶体管类型 | PNP | |
特征频率(fT) | 200MHz | |
直流电流增益(hFE) | 160@100mA,1V | |
耗散功率(Pd) | 330mW | |
集射极击穿电压(Vceo) | 45V | |
集射极饱和电压(VCE(sat)) | 700mV@50mA,500mA | |
集电极截止电流(Icbo) | 20nA | |
集电极电流(Ic) | 800mA |