工作温度:-65℃~+150℃@(Tj),晶体管类型:NPN,特征频率(fT):150MHz,直流电流增益(hFE):200@500mA,5V,耗散功率(Pd):350mW,集射极击穿电压(Vceo):60V,集射极饱和电压(VCE(sat)):280mV@100mA,1A,集电极截止电流(Icbo):100nA,集电极电流(Ic):1A
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 三极管(BJT) | |
工作温度 | -65℃~+150℃@(Tj) | |
晶体管类型 | NPN | |
特征频率(fT) | 150MHz | |
直流电流增益(hFE) | 200@500mA,5V | |
耗散功率(Pd) | 350mW | |
集射极击穿电压(Vceo) | 60V | |
集射极饱和电压(VCE(sat)) | 280mV@100mA,1A | |
集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
集电极电流(Ic) | 1A |