工作温度:-65℃~+150℃@(Tj),晶体管类型:PNP,特征频率(fT):75MHz,直流电流增益(hFE):105@30mA,10V,耗散功率(Pd):350mW,集射极击穿电压(Vceo):350V,集射极饱和电压(VCE(sat)):350mV,集电极截止电流(Icbo):250nA,集电极电流(Ic):500mA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 三极管(BJT) | |
工作温度 | -65℃~+150℃@(Tj) | |
晶体管类型 | PNP | |
特征频率(fT) | 75MHz | |
直流电流增益(hFE) | 105@30mA,10V | |
耗散功率(Pd) | 350mW | |
集射极击穿电压(Vceo) | 350V | |
集射极饱和电压(VCE(sat)) | 350mV | |
集电极截止电流(Icbo) | 250nA | |
集电极电流(Ic) | 500mA |