反向传输电容(Crss):180pF@15V,导通电阻(RDS(on)):-,数量:2个P沟道,栅极电荷量(Qg):32nC@15V,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):2W,输入电容(Ciss):1345pF@15V,连续漏极电流(Id):5.3A,阈值电压(Vgs(th)):-
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 180pF@15V | |
导通电阻(RDS(on)) | - | |
数量 | 2个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 32nC@15V | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
耗散功率(Pd) | 2W | |
输入电容(Ciss) | 1345pF@15V | |
连续漏极电流(Id) | 5.3A | |
阈值电压(Vgs(th)) | - |