导通电阻(RDS(on)):67mΩ@4.5V,3A,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):6.2nC@4.5V,漏源电压(Vdss):45V,耗散功率(Pd):700mW,输入电容(Ciss):510pF@10V,连续漏极电流(Id):3A,阈值电压(Vgs(th)):1.5V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 67mΩ@4.5V,3A | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.2nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 45V | |
| 耗散功率(Pd) | 700mW | |
| 输入电容(Ciss) | 510pF@10V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |