反向传输电容(Crss):90pF,导通电阻(RDS(on)):35mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):8nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):1W,输入电容(Ciss):680pF,输出电容(Coss):150pF,连续漏极电流(Id):4A,阈值电压(Vgs(th)):1.3V@1mA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 输入电容(Ciss) | 680pF | |
| 输出电容(Coss) | 150pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V@1mA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.578/个 |
| 10+ | ¥1.224/个 |
| 30+ | ¥1.073/个 |
| 100+ | ¥0.884/个 |
| 500+ | ¥0.8/个 |
| 1000+ | ¥0.75/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.743
3000 PCS/盘
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