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GC3M0032120D
扩展库- 品牌名称
- SUPSiC(国晶微半导体)
- 厂家型号
- GC3M0032120D
- 商品编号
- C7435042
- 商品封装
- TO-247-3
- 商品毛重
- 0.008754千克(kg)
- 包装方式
- 管装
商品参数
反向传输电容(Crss):8pF,导通电阻(RDS(on)):32mΩ,导通电阻(RDS(on)):32mΩ,导通电阻(RDS(on)):32mΩ@15V,工作温度:-40℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):114nC,栅极电荷量(Qg):114nC,栅极电荷量(Qg):114nC,漏源电压(Vdss):1200V,漏源电压(Vdss):1200V,类型:1个N沟道,耗散功率(Pd):283W,耗散功率(Pd):283W,输入电容(Ciss):3357pF,输出电容(Coss):129pF,连续漏极电流(Id):63A,连续漏极电流(Id):63A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):2.5V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@15V | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 114nC | |
| 栅极电荷量(Qg) | 114nC | |
| 栅极电荷量(Qg) | 114nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 1200V | |
| 漏源电压(Vdss) | 1200V | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 283W | |
| 耗散功率(Pd) | 283W | |
| 输入电容(Ciss) | 3357pF | |
| 输出电容(Coss) | 129pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 63A | |
| 连续漏极电流(Id) | 63A | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥53.63/个 |
| 10+ | ¥42.3/个 |
| 30+ | ¥38.22/个 |
| 90+ | ¥33.06/个 |
| 92+ | ¥33.06/个 |
| 94+ | ¥33.06/个 |
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