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GC3M0160120D
扩展库- 品牌名称
- SUPSiC(国晶微半导体)
- 厂家型号
- GC3M0160120D
- 商品编号
- C7435047
- 商品封装
- TO-247-3
- 商品毛重
- 0.008523千克(kg)
- 包装方式
- 管装
商品参数
反向传输电容(Crss):3pF,导通电阻(RDS(on)):160mΩ,导通电阻(RDS(on)):160mΩ@15V,工作温度:-55℃~+150℃,栅极电荷量(Qg):38nC,漏源电压(Vdss):1200V,类型:1个N沟道,耗散功率(Pd):97W,输入电容(Ciss):632pF,输出电容(Coss):39pF,连续漏极电流(Id):17A,阈值电压(Vgs(th)):2.8V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 1200V | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 97W | |
| 输入电容(Ciss) | 632pF | |
| 输出电容(Coss) | 39pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 17A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥31.4/个 |
| 10+ | ¥26.84/个 |
| 30+ | ¥24.14/个 |
| 90+ | ¥21.4/个 |
| 600+ | ¥20.13/个 |
| 900+ | ¥19.57/个 |
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