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SQ2361EES-T1-GE3-VB
扩展库- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 厂家型号
- SQ2361EES-T1-GE3-VB
- 商品编号
- C7524977
- 商品封装
- SOT-23(TO-236)
- 商品毛重
- 0.000047千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):31pF@25V,导通电阻(RDS(on)):-,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个P沟道,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):27W,输入电容(Ciss):270pF@25V,连续漏极电流(Id):-,阈值电压(Vgs(th)):-
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 31pF@25V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 耗散功率(Pd) | 27W | |
| 输入电容(Ciss) | 270pF@25V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
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