温馨提示：图片仅供参考，商品以实物为准
PSMN015-100B-VB
扩展库- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 厂家型号
- PSMN015-100B-VB
- 商品编号
- C7525087
- 商品封装
- TO-263(D2PAK)
- 商品毛重
- 0.0014千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):265pF,导通电阻(RDS(on)):0.01Ω@10V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):100V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):250W,输入电容(Ciss):6550pF,输出电容(Coss):665pF,连续漏极电流(Id):100A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
找到类似商品：0 种查看类似商品
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 265pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.01Ω@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 输入电容(Ciss) | 6550pF | |
| 输出电容(Coss) | 665pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
数据手册PDF
放大查看预订参考价
3.239 / PCS库存总量
0 PCS电话
顶部
元器件购物车